نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 250µA
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
500 V
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
الحزمة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 2.5A, 10V
المورد الجهاز الحزمة
TO-252
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.8 nC @ 10 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Ta)
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
537.5 pF @ 25 V