تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 250µA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2000 pF @ 25 V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
55 V
الحزمة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
32A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
24mOhm @ 16A, 10V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Ta), 66W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة
TO-251 (MP-3)