تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 250µA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
30 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
3900 pF @ 25 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
80A (Tc)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
7mOhm @ 40A, 10V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة
MP-25K