QSD6HCS65U
QSD6HCS65U
QSD6HCS65U
Part Number:
QSD6HCS65U
Category:
-
Manufacturer:
Description:
SiC 6AMP 650V Schottky Barrier D
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
3000
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 100
Qty
Price
Total
100+
$1.05
$105
500+
$0.94
$470
1000+
$0.83
$830
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
الصف
Automotive
التأهيل
AEC-Q101
درجة حرارة التشغيل - الوصلة
-55°C ~ 175°C
الحزمة / العلبة
TO-247-2
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-2
تكنولوجيا
SiC (Silicon Carbide) Schottky
السرعة
No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr)
0 ns
الجهد الأمامي (Vf) (الحد الأقصى) @ If
1.6 V @ 6 A
التيار - المعدل المتوسط (Io)
21A
الجهد - العكسي للتيار المستمر (Vr) (الأعلى)
650 V
التيار - تسرب عكسي @ Vr
15 µA @ 650 V
السعة @ Vr, F
421pF @ 0V, 1MHz
Latest Products
F1M
F1M
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.3V@1A 500NS 1A 1KV SOD-123FL
SS34F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
40V INDEPENDENT TYPE 3A 550MV@3A
US1DF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1V@1A 50NS INDEPENDENT TYPE 1A 2
ES3JBF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
3A 600V SMBF
ES2GB
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.25V@2A 35NS 2A 400V SMB(DO-214
LL60P
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
25V 100MA 600MV@30MA LL-34
US2MF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.65V@2A 75NS INDEPENDENT TYPE 2
SS310F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
100V INDEPENDENT TYPE 3A 850MV@3