CAB004M12GM4
Número de pieza:
CAB004M12GM4
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G
Encapsulado:
Embalaje:
Box
Cantidad:
24
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$288.92
$288.92
18+
$253
$4554.01
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete
-
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
Module
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
200A (Tj)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 240A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 75mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
1144nC @ 15V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
26.4pF @ 800V
Potencia - Máx
584W (Tj)
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