Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete
-
Temperatura de Operación
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Configuración
2 N-Channel, Common Source (Half Bridge)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
1.051kA (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 800A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.9V @ 255mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
2784nC @ 15V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
94900pF @ 800V
Potencia - Máx
2.54kW (Tc)