ECB2R8M12YM3
Número de pieza:
ECB2R8M12YM3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,
Encapsulado:
Embalaje:
Box
Cantidad:
2
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$1372.25
$1372.25
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete
-
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
Module
Temperatura de Operación
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 450A, 15V
Configuración
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
545A
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.6V @ 125mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
1272nC @ 15V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
38500pF @ 800V
Potencia - Máx
1.485kW (Tj)
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