Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Temperatura de Operación
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
190A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
5.56mOhm @ 190A, 18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.55V @ 60mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
420nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
10100pF @ 850V
Paquete / Carcasa
11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm)
Proveedor Dispositivo Paquete
PG-MDIP-11-1