Name: VS-4C10ET07S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: VS-4C10ET07S2L-M3
Price: 3.7500 USD
Availability: OutOfStock

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VS-4C10ET07S2L-M3

Número de pieza:

VS-4C10ET07S2L-M3

Categoría:

Fabricante:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Descripción:

RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V

Encapsulado:

Embalaje:

Cut Tape (CT)

Cantidad:

Estado RoHS:

Compatible

PDF:

VS-4C10ET07S2L-M3

Cotización

Existencias

Cantidad mínima: 1

Cant.

Precio

Total

$3.75

10+

$2.45

$24.5

100+

$1.7

$170

Parámetros del producto

Estado de la Pieza

Active

Tipo de Montaje

Surface Mount

Grado

Calificación

Temperatura de Operación - Unión

-55°C ~ 175°C

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

10A

Paquete / Carcasa

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Proveedor Dispositivo Paquete

TO-263AB (D2PAK)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ If

1.5 V @ 10 A

Tecnología

SiC (Silicon Carbide) Schottky

Velocidad

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tiempo de Recuperación Inversa (trr)

0 ns

Voltaje - Inversa de Corriente Continua (Vr) (Máx.)

650 V

Corriente - Fuga Inversa @ Vr

80 µA @ 650 V

Capacitancia @ Vr, F

440pF @ 1V, 1MHz

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