전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 20V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
16.7 nC @ 20 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
227 pF @ 1000 V