FCP165N65S3R0
부품 번호:
FCP165N65S3R0
제품 분류:
-
설명:
FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-
패키지 타입:
패키지:
Bulk
수량:
2115
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 151
수량
가격
총액
151+
$2.2
$332.2
부품 상태
Obsolete
장착 유형
Through Hole
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
패키지 / 케이스
TO-220-3
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Vgs (최대)
±30V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
39 nC @ 10 V
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
전력 소산 (최대)
154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 440mA
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