GT100P06D5
부품 번호:
GT100P06D5
제품 분류:
-
제조사:
설명:
MOSFET P-CH 60V 60A 104W DFN5*6-
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
100
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$1.96
$1.96
10+
$1.25
$12.5
100+
$0.84
$84
500+
$0.66
$330
1000+
$0.6
$600
2000+
$0.6
$1200
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형
P-Channel
드레인-소스 전압 (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
9mOhm @ 15A, 10V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
60A (Tc)
전력 소산 (최대)
104W (Tc)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
47 nC @ 10 V
공급업체 장치 패키지
8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerSMD, Flat Leads
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3700 pF @ 30 V
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