PJD100P04E-AU_L2_006A1
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PJD100P04E-AU_L2_006A1
부품 번호:
PJD100P04E-AU_L2_006A1
제품 분류:
-
설명:
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
0
RoHS 상태:
지원
공유:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$3.74
$3.74
10+
$2.44
$24.4
100+
$1.7
$170
500+
$1.46
$730
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
Automotive
자격 인증
AEC-Q101
FET 유형
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9400 pF @ 25 V
드레인-소스 전압 (Vdss)
40 V
공급업체 장치 패키지
TO-252AA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
18A (Ta), 135A (Tc)
전력 소산 (최대)
3W (Ta), 176W (Tc)
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