QS65SCM65D2P
부품 번호:
QS65SCM65D2P
제품 분류:
-
제조사:
설명:
650v 65amp SiC Mosfet D2PAK
패키지 타입:
패키지:
Tube
수량:
980
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$11.24
$11.24
10+
$10.44
$104.4
250+
$10.15
$2537.5
500+
$9.52
$4760.01
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
65A (Tc)
전력 소산 (최대)
294W (Tc)
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (최대)
+25V, -10V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V, 20V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
70mOhm @ 25A, 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1946 pF @ 400 V
공급업체 장치 패키지
D2PAK-7L
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