S2M0016120D
부품 번호:
S2M0016120D
제품 분류:
-
제조사:
설명:
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
패키지 타입:
패키지:
Tube
수량:
0
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$18.82
$18.82
10+
$13.36
$133.6
300+
$10.18
$3054
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
패키지 / 케이스
TO-247-3
공급업체 장치 패키지
TO-247AD
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
140A (Tc)
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
전력 소산 (최대)
714W (Tc)
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (최대)
+20V, -5V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
15V, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 23mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
22.3mOhm @ 75A, 20V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
224 nC @ 15 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6680 pF @ 1000 V
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