S2M0040120N2
부품 번호:
S2M0040120N2
제품 분류:
-
제조사:
설명:
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
패키지 타입:
패키지:
Bulk
수량:
0
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$37.84
$37.84
36+
$24.67
$888.12
부품 상태
Active
장착 유형
Chassis Mount
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
패키지 / 케이스
SOT-227-4, miniBLOC
공급업체 장치 패키지
SOT-227
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
57A (Tc)
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
전력 소산 (최대)
312.5W (Tc)
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
52mOhm @ 40A, 20V
Vgs (최대)
+20V, -5V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
42 nC @ 20 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2748 pF @ 1000 V
최신 제품
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
QR 코드 스캔