AONR21311C
零件编号：
AONR21311C
产品分类：
-
描述：
LINEAR IC
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：5000
数量
价格
总价
5000+
$0.27
$1350
10000+
$0.25
$2500
15000+
$0.24
$3600
25000+
$0.24
$6000
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
720 pF @ 15 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.2V @ 250µA
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-DFN-EP (3x3)
最大功耗
3.1W (Ta), 11W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
7A (Ta), 12A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
40mOhm @ 7A, 10V
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