IPB175N20NM6ATMA1
零件编号：
IPB175N20NM6ATMA1
产品分类：
-
描述：
IPB175N20NM6ATMA1
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$4.11
$4.11
10+
$2.69
$26.9
100+
$1.88
$188
500+
$1.66
$830
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
200 V
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
39 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 105µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3100 pF @ 100 V
供应商器件封装
PG-TO263-3-U01
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
9.7A (Ta), 61A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
15.5mOhm @ 38A, 15V
最大功耗
3.8W (Ta), 203W (Tc)
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