S2M0080120B
零件编号：
S2M0080120B
产品分类：
-
制造商：
描述：
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$7.7
$7.7
10+
$5.2
$52
100+
$3.78
$378
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
30A (Tc)
供应商器件封装
TO-263-7
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
最大功耗
176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 10mA
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
100mOhm @ 20A, 20V
最大栅源电压
+20V, -5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
54 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1324 pF @ 1000 V
最新产品
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
移动端扫码