S3M0025120B
零件编号：
S3M0025120B
产品分类：
-
制造商：
描述：
MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 2
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$13.83
$13.83
10+
$9.64
$96.4
100+
$7.27
$727
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
73A (Tc)
供应商器件封装
TO-263-7
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 20mA
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
最大功耗
394W (Tc)
最大栅源电压
+18V, -4V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
32mOhm @ 48A, 18V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
175 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3519 pF @ 1000 V
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