TPH3212PS
零件编号：
TPH3212PS
产品分类：
-
制造商：
描述：
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
封装：
包装：
Tube
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：0
数量
价格
总价
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
供应商器件封装
TO-220AB
封装 / 外壳
TO-220-3
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
27A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
最大功耗
104W (Tc)
最大栅源电压
±18V
技术
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14 nC @ 8 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
72mOhm @ 17A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.6V @ 400uA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1130 pF @ 400 V
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