H11B1VM
رقم الجزء
H11B1VM
تصنيف المنتجات
الترانزستور، عوازل ضوئية للخرج
الصانع
Fairchild Semiconductor
وصف
OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6-DIP
تغليف
Bulk
التعبئة
الكمية
2100
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 500
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
500
$0.66
$330
عدد القنوات
1
输入类型为阿拉伯文
DC
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نسبة نقل التيار (الحد الأقصى)
-
وقت الارتفاع / الانخفاض (النموذجي)
-
الجهد - الإخراج (الحد الأقصى)
30V
الجهد - الأمامي (Vf) (النموذجي)
1.2V
الحزمة / العلبة
6-DIP (0.300", 7.62mm)
المورد الجهاز الحزمة
6-DIP
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 100°C
نوع الإخراج باللغة العربية
Darlington with Base
التيار - الإخراج / القناة
150mA
التيار - تيار مباشر أمامي (If) (أقصى)
80 mA
جهد تشبع المجمع-الباعث (الحد الأقصى)
1V
نسبة نقل التيار (الحد الأدنى)
500% @ 1mA
وقت التشغيل / وقت الإيقاف (نموذجي)
25µs, 18µs
الجهد - العزل
4170Vrms
أحدث المنتجات
onsemi
OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 6-DIP
onsemi
OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6-DIP
onsemi
OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6-DIP
onsemi
OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6-DIP
onsemi
OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6-DIP
onsemi
OPTOISO 5.3KV 1CH MOSFET 6-DIP
onsemi
OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6-DIP
onsemi
OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6-DIP