نوع التثبيت
Chassis Mount
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200V (1.2kV)
الطاقة - الحد الأقصى
1.1kW (Tj)
تكوين
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
385A
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 350A, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
3.6V @ 84mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
848nC @ 15V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
25600pF @ 800V