درجة حرارة التشغيل - الوصلة
-55°C ~ 175°C
الجهد - العكسي للتيار المستمر (Vr) (الأعلى)
1200 V
التيار - المعدل المتوسط (Io)
3.6A
التيار - تسرب عكسي @ Vr
5 µA @ 1200 V
تكنولوجيا
SiC (Silicon Carbide) Schottky
السرعة
No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr)
0 ns
الحزمة / العلبة
DO-221AC, SMA Flat Leads
المورد الجهاز الحزمة
DO-221AC (SlimSMA)
الجهد الأمامي (Vf) (الحد الأقصى) @ If
1.55 V @ 2 A
السعة @ Vr, F
11pF @ 800V, 1MHz