درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
34A (Tc)
تكنولوجيا
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
18V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 20mA
Vgs (الحد الأقصى)
+18V, -8V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 15 V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
750 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-3L
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
95mOhm @ 10A, 18V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1564 pF @ 500 V