تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 250µA
المورد الجهاز الحزمة
TO-220AB
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
400 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
9.4A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1057 pF @ 25 V