درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
79A (Tc)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
20V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-4
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -5V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
40mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
5V @ 9.4mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
168 nC @ 20 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
3980 pF @ 800 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
410W (Tc)