درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
42A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
20V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-4
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -5V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1680 pF @ 800 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
5V @ 3.9mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74 nC @ 20 V