درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
6.8A (Tc)
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-3
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
20V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -5V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 20V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15.8 nC @ 20 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
260 pF @ 800 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
78.4W (Tc)