IV2Q06025D7Z
Part Number:
IV2Q06025D7Z
Category:
-
Manufacturer:
Description:
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
1600
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 800
Qty
Price
Total
800+
$6.59
$5272.01
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-263-7
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
600W (Tc)
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
18V
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -5V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
111A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
33mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.5V @ 12mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
125 nC @ 18 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
3090 pF @ 600 V
الحزمة / العلبة
TO-263-7
Latest Products
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Scan QR Code