درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
المورد الجهاز الحزمة
TO-263-7
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
417W (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
65A (Tc)
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
18V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 18V
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -5V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2160 pF @ 800 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.5V @ 9mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 18 V