درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
65A (Tc)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
18V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-4
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 18V
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -5V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2160 pF @ 800 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.5V @ 9mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 18 V