درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
المورد الجهاز الحزمة
TO-263-7
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
6.3A (Tc)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
73W (Tc)
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1700 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
18V
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -5V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
910mOhm @ 1A, 18V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.5V @ 380uA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.5 nC @ 18 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
285 pF @ 1000 V