درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
45A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
142W (Tc)
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
18V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.8V @ 11.1mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
79 nC @ 18 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
47mOhm @ 1A, 18V
Vgs (الحد الأقصى)
+12V, -4V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2453 pF @ 800 V
المورد الجهاز الحزمة
ISO247-3L