IXSJ80N120R1
Part Number:
IXSJ80N120R1
Category:
-
Manufacturer:
Description:
1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
1600
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$32.25
$32.25
30+
$20.96
$628.8
120+
$20.19
$2422.8
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
TO-247-3
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
85A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
18V
Vgs (الحد الأقصى)
+21V, -4V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.8V @ 22.2mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
154 nC @ 18 V
المورد الجهاز الحزمة
ISO247-3L
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 40A, 18V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
4522 pF @ 800 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
266W
Latest Products
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Scan QR Code