درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
8A
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
20V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 10mA
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1700 V
المورد الجهاز الحزمة
PG-TO247-3
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
88W
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 20V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 1200 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
142 pF @ 1000 V