QSD10HCS120U
QSD10HCS120U
QSD10HCS120U
Part Number:
QSD10HCS120U
Category:
-
Manufacturer:
Description:
1200v 10amp SiC Schottky Barrier
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
4935
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 50
Qty
Price
Total
50+
$2.15
$107.5
100+
$2.04
$204
500+
$1.82
$910
1000+
$1.71
$1710
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
TO-220-2
درجة حرارة التشغيل - الوصلة
-55°C ~ 175°C
التيار - المعدل المتوسط (Io)
10A
الجهد - العكسي للتيار المستمر (Vr) (الأعلى)
1200 V
التيار - تسرب عكسي @ Vr
250 µA @ 1200 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-220-2
تكنولوجيا
SiC (Silicon Carbide) Schottky
السرعة
No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr)
0 ns
الجهد الأمامي (Vf) (الحد الأقصى) @ If
1.8 V @ 10 A
السعة @ Vr, F
770pF @ 0V, 1MHz
Latest Products
F1M
F1M
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.3V@1A 500NS 1A 1KV SOD-123FL
SS34F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
40V INDEPENDENT TYPE 3A 550MV@3A
US1DF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1V@1A 50NS INDEPENDENT TYPE 1A 2
ES3JBF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
3A 600V SMBF
ES2GB
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.25V@2A 35NS 2A 400V SMB(DO-214
LL60P
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
25V 100MA 600MV@30MA LL-34
US2MF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.65V@2A 75NS INDEPENDENT TYPE 2
SS310F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
100V INDEPENDENT TYPE 3A 850MV@3