TP65H300G4JSGB-TR
Part Number:
TP65H300G4JSGB-TR
Category:
-
Manufacturer:
Description:
GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
5475
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$4.74
$4.74
10+
$3.13
$31.3
100+
$2.21
$221
500+
$2.02
$1010
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
9.2A (Tc)
Vgs (الحد الأقصى)
±10V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.5 nC @ 10 V
الحزمة / العلبة
8-PowerTDFN
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
41.6W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة
8-PQFN (5x6)
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.8V @ 500µA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
6V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
400 pF @ 400 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
312mOhm @ 6.5A, 6V
Latest Products
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Scan QR Code