WI71060TR
WI71060TR
WI71060TR
Part Number:
WI71060TR
Category:
-
Manufacturer:
Description:
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
4098
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$7.77
$7.77
10+
$5.98
$59.8
25+
$5.54
$138.5
100+
$5.05
$505
250+
$4.82
$1205
500+
$4.68
$2340
1000+
$4.56
$4560.01
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
700 V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (الحد الأقصى)
+6V, -4V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
30A (Tj)
الحزمة / العلبة
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1.5V @ 10mA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
6V
المورد الجهاز الحزمة
8-PDFN (8x8)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
65mOhm @ 2A, 6V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7 nC @ 6 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
216 pF @ 400 V
Latest Products
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-