WI71100TR
Part Number:
WI71100TR
Category:
-
Manufacturer:
Description:
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
4094
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$6.59
$6.59
10+
$5.05
$50.5
25+
$4.66
$116.5
100+
$4.24
$424
250+
$4.04
$1010
500+
$3.92
$1960
1000+
$3.82
$3820
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
700 V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (الحد الأقصى)
+6V, -4V
الحزمة / العلبة
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1.5V @ 10mA
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
17A (Tj)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
6V
المورد الجهاز الحزمة
8-PDFN (8x8)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 6V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.8 nC @ 6 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
120 pF @ 400 V
Latest Products
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Scan QR Code