Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Disipación de Potencia (Máx.)
750W (Tc)
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.5V @ 10mA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V, 20V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
9mOhm @ 80A, 20V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247HC-4L
Paquete / Carcasa
TO-247-4L