CMS120N080B
Número de pieza:
CMS120N080B
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
Encapsulado:
Embalaje:
Bulk
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$20
$20
10+
$14.24
$142.4
100+
$11
$1100
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-263-7
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Disipación de Potencia (Máx.)
188W (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 10mA
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 20V
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