Estado de la Pieza
Active
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4L
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Disipación de Potencia (Máx.)
555W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
136A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
750 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
20mOhm @ 50A, 18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 100mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
329 nC @ 15 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7252 pF @ 500 V