GCMX080C120S1-E1
Número de pieza:
GCMX080C120S1-E1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1630
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$23.5
$23.5
10+
$16.89
$168.9
100+
$13.52
$1352
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Paquete / Carcasa
SOT-227-4, miniBLOC
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-227
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Disipación de Potencia (Máx.)
118W (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 5mA
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Vgs (Máx.)
+22V, -8V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1328 pF @ 1000 V
Últimos productos
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Escanee el código QR