GE12050EEA3
Número de pieza:
GE12050EEA3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE
Encapsulado:
Embalaje:
Bulk
Cantidad:
1605
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$9678.9
$9678.9
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación
AEC-Q101
Paquete / Carcasa
Module
Proveedor Dispositivo Paquete
Module
Configuración
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Potencia - Máx
1250W
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
475A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 475A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 160mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
1248nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
29300pF @ 600V
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