IGN1011L70

IGN1011L70
IGN1011L70
Número de pieza:
IGN1011L70
Categoría:
-
Descripción:
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
Encapsulado:
Embalaje:
Bulk
Cantidad:
1611
Estado RoHS:
Compatible
Compartir:
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$282.62
$282.62
15+
$237.87
$3568.05
30+
$230.92
$6927.61
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
Corriente nominal (amperios)
-
Cifra de Ruido
-
Ganancia
22dB
Voltaje - Prueba
50 V
Frecuencia
1.03GHz ~ 1.09GHz
Potencia - Salida
80W
Voltaje - Clasificado
120 V
Tecnología
GaN HEMT
Corriente - Prueba
22 mA
Paquete / Carcasa
PL32A2
Proveedor Dispositivo Paquete
PL32A2
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