IXSJ80N120R1
Número de pieza:
IXSJ80N120R1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1600
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$32.25
$32.25
30+
$20.96
$628.8
120+
$20.19
$2422.8
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Vgs (Máx.)
+21V, -4V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.8V @ 22.2mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
154 nC @ 18 V
Proveedor Dispositivo Paquete
ISO247-3L
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 40A, 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4522 pF @ 800 V
Disipación de Potencia (Máx.)
266W
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