MSB100P55
Número de pieza:
MSB100P55
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
P-Channel MOSFET,100V,TO-263
Encapsulado:
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
3
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$1.77
$1.77
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET
P-Channel
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Paquete / Carcasa
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-263
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
21mOhm @ 20A, 10V
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