MXP120A045FE-T1GE3
Número de pieza:
MXP120A045FE-T1GE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
SIC MOSFET
Encapsulado:
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
1600
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1600
Cant.
Precio
Total
1600+
$13.94
$22304
Estado de la Pieza
Active
Proveedor Dispositivo Paquete
-
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje
-
Paquete / Carcasa
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Disipación de Potencia (Máx.)
212W (Tc)
Vgs (Máx.)
+22V, -10V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V, 20V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
56mOhm @ 20A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.38V @ 5mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
75.6 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1958 pF @ 800 V
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