NC1M120C12WDCU
Número de pieza:
NC1M120C12WDCU
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
Encapsulado:
Embalaje:
Tray
Cantidad:
2180
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 218
Cant.
Precio
Total
218+
$45.35
$9886.3
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Paquete / Carcasa
Die
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Proveedor Dispositivo Paquete
Wafer
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
214A (Tc)
Vgs (Máx.)
+22V, -8V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.5V @ 40mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8330 pF @ 1000 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 20V
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